用于下一代氧化物/金属CMP的优化的CMP修整器设计

摘要

对几个关键性修整器设计参数进行了研究。其目的是通过考虑多个因素，如晶片缺陷、抛光垫寿命以及修整器寿命，来改进修整器的性能。为了这一研究，选择了几个关键性修整器设计参数，如金刚石类型、金刚石尺寸、金刚石形状、金刚石浓度以及分布，以确定它们对CMP性能和工艺稳定性的影响。进行了实验验证。将修整器规格与每一个具体的CMP环境(预计的应用)进行匹配，以便改进特别地用于出现的技术节点的工艺稳定性和CMP的性能。在本领域中开发并成功地运行了几种修整器设计。根据一个实施方案实现了对300mm的CMP工艺的显著的平面性改进，并且用另一个实施方案同时实现了抛光垫寿命与晶片抛光率的提高。