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刘海浪; 张瑞宾; 黄以平;
桂林电子科技大学机电工程学院,桂林541004;
电子束辐照; LED; GaN; 特性参数;
机译:在4.2-400 K的温度范围内,电流密度对GaN基蓝光LED的发射行为产生影响
机译:确定GaN基蓝光LED结温的非接触方法
机译:结构参数对Al_xGa_(1-x)N / AlN / GaN基HEMT的2DEG密度和C〜V特性的影响
机译:电子束辐照对GaN基发光二极管特性的影响
机译:GaN基异质结场效应晶体管的直流,微波和噪声特性及其可靠性问题。
机译:纳米级V凹坑对GaN基绿色发光二极管的电子和光学特性以及效率下降的影响
机译:GaN基量子阱结构的低能电子束辐照
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性
机译:GaN自持基体,GaN自持基体和蓝光LED的制造方法
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
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