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邸建华;
无;
激光器; 双异质结; 二极管; 铟砷铅; 激光二极管;
机译:InGaAsP / InP双异质结激光器的阈值温度特性分析
机译:室温短波(λ〜3.7-3.9μm)GaInAs / AlAsSb量子级联激光器
机译:双异质结构激光器中阈值电流和幅度-相位耦合系数的波导和温度特性
机译:InsSb / AlAsSb双异质结构和InsSb / InAlAs量子阱二极管激光器以/ spl sim / 4 / spl mu / m发射
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有高输出功率和稳定输出光束的表面发射可调中红外激光器
机译:由分子束外延生长的InGaAs / Alas / Alassb耦合双量子孔的光学质量改进
机译:3.9微米Inassb / alassb双异质结构二极管激光器,具有高输出功率和改善的温度特性
机译:双异质结构晶片和双异质结型半导体激光器件
机译:包含中间同质结的双异质结激光器
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