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P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器研究

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摘要

介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理,提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs/AIGaAs量子阱红外探测器的设计方案,分析了器件的性能,对于新型量子阱红外探测器的研制提供一种可能的参考.

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来源
《激光与红外》 |2008年第8期|784-785,795|共3页
作者
毕艳军; 郭志友; 于敏丽;
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作者单位

华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所,广东广州510631;

华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所,广东广州510631;

河北省邢台职业技术学院电气工程系,河北邢台054000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
自旋电子器件; 子带间跃迁; GaMnAs/AlGaAs量子阱; 红外探测器;

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