...
机译:p型GaAs / AlGaAs多量子阱中正常入射检测的光响应研究
Wright Laboratory, Materials Directorate, WL/MLPO, Wright Patterson AFB, OH 45433-7707;
GaAs/AlGaAs multiple quantum well (MQW); infrared detectors; intersubband absorption; quantum well infrared photodetector (QWIP);
机译:(111)A基板上的垂直入射硅掺杂p型GaAs / AlGaAs量子阱红外光电探测器
机译:(111)A衬底上的垂直入射硅掺杂p型GaAs / AlGaAs量子阱红外光电探测器
机译:使用感应单轴应变的法向入射GaAs / AlGaAs多量子阱偏振调制器
机译:GaAs / Algaas p型多量子孔,用于正常入射时的红外检测:模型和实验
机译:掺Si的GaAs / AlGaAs多量子阱中电子与电子相互作用的远红外研究。
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:Si衬底上用于红外检测的掺杂GaAs / AlGaAs多量子阱结构的生长和表征
机译:正常入射高性能p型应变层InGaas / alGaas和Gaas / alGaas量子阱红外光电探测器的研究