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GaAs/AlGaAs多量子阱结构中的电子干涉

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摘要

由电子波干涉的观点出发，理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态.通过红外光激发，量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰.理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致，并且理论估计的吸收峰强弱也与实验结果一致.

著录项

来源
《电子学报》 |2001年第5期|692-694|共3页
作者
程兴奎; 黄柏标; 徐现刚; 任红文; 刘士文; 蒋民华;
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作者单位

山东大学光电材料与器件研究所,;

山东大学晶体材料所,;

山东大学晶体材料所,;

山东大学晶体材料所,;

山东大学晶体材料所,;

山东大学晶体材料所,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料和工作物质;
关键词
GaAs; 多量子阱; 电子干涉;

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