GaAs/AlGaAs多量子阱光生电压谱研究

摘要

在１８－３００Ｋ温度范围内，研究了用半绝缘体ＧａＡｓ作为衬底的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱的光生电压谱，共观测到１１Ｈ，１１Ｌ，２２Ｈ，２２Ｌ，３３Ｈ，３３Ｌ，１３Ｈ和３１Ｈ等多种允许和禁戒的激子吸收峰，低温下的光生电压谱清晰地反映了多量子阱台阶式的状态密度分布。