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吴花蕊; 李在林;
新乡学院,物理系,河南,新乡,453003;
闪锌矿量子点; 发光波长; 电子-空穴复合率; 激子结合能; 激子效应;
机译:具有施主杂质中心的闪锌矿GaN圆柱量子点中的非线性光学响应
机译:闪锌矿GaN量子点的电子结构和光学性质
机译:太赫兹GaN / Al0.15Ga0.85N量子级联激光器的设计与仿真
机译:GaN宽带隙半导体和量子阱的光学过渡和动态特性
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:二维电子在Al0.3Ga0.7N / GaN和Al0.3Ga0.7N / GaN / Al0.15Ga0.85N / Al0.15Ga0.85N / Al0.15Ga0.85N / GaN异质结构中的载体限制和光学性质的影响
机译:InGaN / GaN量子点---生长,纳米结构材料分析和光学表征。
机译:使用具有相同能力以改善光学增益和温度特性的图案化应变层和量子点半导体器件制造量子点的方法
机译:激发区包括在Si衬底上生长的基质晶体中的纳米点(也称为“量子点”),该激发点由具有闪锌矿结构(也称为“立方”)的AlyInxGa1-y-xN晶体(y≥0,x> 0)制成。以及通过使用其获得的发光器件(LED和LD)
机译:有源区,包括在SI衬底上生长并由闪锌矿构成的纳米晶体中的纳米点(也称为“量子点”)
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