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一种在金刚石衬底上制备闪锌矿GaN薄膜的方法

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摘要

本发明属于GaN薄膜制备技术领域，提供了一种在金刚石衬底上制备闪锌矿GaN薄膜的方法。先对金刚石衬底用XeF

1. 一种在金刚石衬底上制备闪锌矿GaN薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN110517950B . 2021.06.18
2. 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 [P] . 中国专利： CN111599905A . 2020-08-28
3. A semiconductor on diamond substrate, percursor for use in preparing a semiconductor on diamond substrate, and methods of making the same [P] . 英国专利： GB201814192D0 . 2018-10-17

机译：金刚石衬底上的半导体，用于在金刚石衬底上制备半导体的前驱体及其制造方法
4. Substrate having thin film of GaN joined thereon and method of fabricating the same [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1873817B1 . 2013-08-14

机译：其上连接有GaN薄膜的衬底及其制造方法
5. LIFT-OFF PROCESS FOR GaN FILMS FORMED ON SiC SUBSTRATE AND DEVICES FABRICATED USING THE METHOD [P] . 韩国专利： KR101203365B1 . 2012-11-21

机译：用该方法在SiC衬底上形成GaN薄膜的起升过程及装置