CNT-TCFs/石英衬底上GaN薄膜的低温制备及性能研究

目录

声明

1 绪论

1.1 CNTs概况

1.1.1 CNTs的结构

1.1.2 CNTs的性能

1.2 CNTs透明导电薄膜

1.2.1 CNTs透明导电薄膜概况

1.2.2 CNTs膜的制备

1.2.3 CNTs膜的应用领域及发展前景

1.3 GaN的概况

1.3.1 GaN的性质

1.3.2 GaN薄膜的衬底选择

1.3.3 GaN薄膜的应用

1.4 本文的研究内容及意义

2 实验设备与表征方法

2.1 ECR-PEMOCVD设备

2.2 ECR-PEMOCVD的结构及特征

2.3 表征方法

2.3.1 X-射线衍射（XRD）

2.3.2 反射高能电子衍射（RHEED）

2.3.3 扫描电子显微镜（SEM）

2.3.4 光致发光光谱（PL）

3 溶胶-凝胶法制备CNT-TCFs

3.1 实验过程及参数

3.1.1 CNTs溶液的配制

3.1.2 CNT-TCFs的制备

3.2 结果与分析

3.2.1 CNT-TCFs的透射谱测试分析

3.2.2 CNT-TCFs的I-V测试分析

3.2.3 CNT-TCFs的R-T散点图分析

3.2.4 CNT-TCFs的SEM测试分析

3.3 小结

4 利用ECR-PEMOCD制备GaN薄膜及性能研究

4.1 实验过程及参数

4.1.1 衬底准备

4.1.2 氮化

4.1.3 缓冲层

4.2 探究生长层TMGa流量对GaN结晶质量的影响

4.2.1 实验参数

4.2.2 实验结果与分析

4.3 探究生长层温度对GaN结晶质量的影响

4.3.1 实验参数

4.3.2 实验结果与分析

4.4 小结

结论

参考文献

攻读硕士学位期间发表学术论文情况

致谢