一种在金刚石衬底上制备闪锌矿GaN薄膜的方法

摘要

本发明属于GaN薄膜制备技术领域，提供了一种在金刚石衬底上制备闪锌矿GaN薄膜的方法。先对金刚石衬底用XeF₂等离子体进行氟化处理，处理后的金刚石表面形成C‑F键，C‑F键作为形核位点；然后将金刚石衬底置于MOCVD反应室内生长GaN形核层，再对形核层退火处理，最后合并生长形成闪锌矿GaN薄膜。以金刚石作为热沉衬底生长闪锌矿GaN薄膜的方法，对实现GaN基高效绿光LED器件及其散热具有重要意义。