GaN垒层厚度对InGaN/GaN单量子阱光学特性的影响

摘要

采用金属有机物化学气相沉积(MOVCD)技术制备了不同GaN垒层厚度的InGaN单量子阱。低温PL测量发现，随着GaN垒层厚度的增加，InGaN量子阱的发光峰位发生了明显的红移；同时，激子与纵光学声子间的耦合强度也逐渐增强。进一步分析表明，以上现象主要源于GaN垒层厚度变化引起的量子阱中应力的改变。