Kansas State University;
alloy; exciton; gallium nitride; phonon;
机译:氮化物基宽带隙半导体中载流子动力学和非平衡光子的光学研究
机译:amorphous掺杂非晶宽带隙半导体(SiC)_(1-x)(AlN)_x的带隙工程及其光发射特性
机译:用于多光谱光电探测器的多层材料与宽带隙半导体的集成:MoS_2 / GaN和β-In_2Se_3/ GaN的情况
机译:宽带隙半导体缺陷磁光光谱:GaN和SiC
机译:罕见的氮化物半导体掺杂的罕见元素和过渡金属的生长,表征和发光和光学性质
机译:具有不同GaN盖层厚度InGaN / GaN多量子阱的光学性质的研究
机译:III-V氮化物宽带隙半导体的光学和电学特性。年报,1997年4月1日至1998年5月31日
机译:III-V氮化物宽带隙半导体的光学和电学特性。年报,1997年4月1日至1998年5月31日