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陈澜; 吴瑾照; 龙浩; 史晓玲; 应磊莹; 郑志威; 丘志仁; 张保平;
厦门大学电子科学与技术学 院微纳光电子研究室 福建 厦门 361005;
中山大学物理学院 光电材料与技术国家重点实验室 广东 广州 510275;
有源区; 相对光限制因子; 内量子效率; 复合寿命; 垂直腔面发射激光器;
机译:非线性弹性和机电耦合对InGaN / GaN和AlGaN / AlN量子阱光学性能的影响
机译:InGaN / GaN对的数目对InGaN / GaN多量子阱的光电化学性质的影响
机译:低摩尔Ingan结构和Ingan / gan应变层超晶格对多层量子阱有源层光学性能的影响
机译:极性面对440 nm交错式InGaN / InGaN / GaN量子阱发光二极管的光学性能的影响
机译:极性InGaN / GaN量子阱结构的光学研究
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:有和没有掺Si的InGaN预层生长的InGaN / GaN多量子阱结构的光学性能比较
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:表面等离子体增强型Ingan / GaN多量子阱光电极及其制备方法
机译:高效的蓝色InGaN / GaN量子阱发光二极管,后期呈锯齿状
机译:高效的蓝色INGAN / GAN量子阱光发射二极管,具有锯齿状
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