机译:用于多光谱光电探测器的多层材料与宽带隙半导体的集成:MoS_2 / GaN和β-In_2Se_3/ GaN的情况
Indian Inst Sci Ctr Nano Sci & Engn CeNSE Bengaluru 560012 Karnataka India;
dual band photodetector; layered-material/3D heterojunction; MoS2; beta-In2Se3; GaN; UV-visible/NIR;
机译:SiC和GaN宽带隙半导体材料和器件
机译:宽带隙半导体基表面发射激光器:基于GaN的垂直腔表面发射激光器和基于GaN / ZnO的极化子激光器的最新进展
机译:GaN基宽带隙半导体的发展趋势:从固态照明到电力电子设备
机译:高k ZrO2与宽带隙半导体:GaN,AlN和SiC之间的能带对准
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:压力对宽带隙GaN半导体的影响