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尹民; 楼立人;
中国科学大学物理系;
化学预处理; MOCVD; 砷化镓; 多孔硅; 常压;
机译:MOCVD法通过MOCVD法在GaAs底物上的InGaAs层的低温生长
机译:在该基材上由MOCVD生长的多孔GaAs和InGaAs缓冲层。
机译:MOCVD生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线的光致发光和共振拉曼光谱。
机译:离心沉积金纳米粒子催化在ITO上MOCVD生长高质量和密度可调的GaAs纳米线
机译:LP-MOCVD法生长拉伸应变InGaAs / InP的多量子阱的研究
机译:mOCVD生长InGaas / Inp上的高频晶体管。
机译:LEPECVD和MOCVD产生的硅上InGaAs / GaAs激光器。
机译:LEPECVD和MOCVD在硅上制作的InGaAs / GaAs激光器
机译:由lepecvd和mocvd gaas在硅上/ gaas激光处理
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