常压 MOCVD 法生长 ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)应变层超晶格

摘要

本文首次报导以常压 MOCVD 法,用二甲基锌、硒化氢、硫化氢为源,在砷化镓衬底上外延生长 ZnSe/ZnS_XSe_(1-X) 应变层超晶格结构。讨论了气相组分对外延层组分的影响。用 X 射线衍射法和光荧光法鉴定了超晶格结构。