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用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究

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本文利用高分辨电子显微镜(TEM)从原子尺度对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-Znse应变超晶格的精细结构进行了细致观察.通过对缺陷的种类、分布的分析提出缺陷的产生原因与过渡层质量有直接关系,通过改善过渡层的成份及各层间的厚度可制备出结构较完整以及较平整的超晶格薄层材料.

著录项

来源
《液晶与显示》 |1994年第1期|1-8|共8页
作者
宋士惠; 关郑平; 范广涵; 范希武; 彭应国; 吴玉琨;
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作者单位

中国科学院长春物理研究所;

中国科学院金属研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
超晶格; 汽相外延生长; 电子显微镜;

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