常压MOCVD法生长的p型ZnSe及其光电特性

摘要

本文通过常压ＭＯＣＶＤ方法，利用ＮＨ３气作为受主掺杂源，在（１００）方向的ＧａＡｓ衬度上生长了ＺｎＳｅ：Ｎ膜，通过测量７７Ｋ温度下光致发光光谱，观测到了由于掺氮引起的自由到束缚发射（ＦＡ）和深中心复合（ＳＡ）。在低掺杂浓度下ＦＡ起主要作用，随着ＮＨ３气逍度增加，ＦＴ和ＳＡ带的强度随之增强，在重掺杂下ＳＡ带成为主要，同时带的半宽度展宽，室温下霍尔测量的结果表明，低掺杂浓度下ＺｎＳｅ：Ｎ膜呈高阻态，而