硒化锌

摘要： 通过传统的生物发酵方式获得PHB(聚-β-羟基丁酸酯)的研究已经趋于成熟,各项生产条件均有学者进行了优化,但是通过传统生物发酵的方式获得的PHB在成本上仍无法和化学合成的PHB或其他石油化工所得到的高分子材料竞争.该研究提出利用水热法合成闪锌矿结构的ZnSe半导体光催化材料与真养产碱杆菌(Ralstonia eutropha)H16构建杂化光合系统,测试系统中PHB含量变化,结合材料的光催化产氢性能来探究光催化材料在生物杂化光合系统中的作用.结果表明,在单纯材料光催化产氢时,材料在短时间虽有不错的产氢性能表现,但是在长时间循环中表现不佳.在结合细菌后,该生物杂化光合系统有着优秀的表现,相较对照组最高可将PHB产量提升至1.87倍,并且在长时间连续工作的条件下系统保持稳定.材料在高浓度下依然对该系统起到正面的作用.并且通过测定底物消耗和计算效率的方式探讨了光催化材料影响该生物光合杂化系统的具体方式.证明了这种方式合成的ZnSe与Ralstonia eutropha H16相结合在光照下能够有效提升PHB的产量.

摘要： 通过对纳米材料硒化锌(ZnSe)的处理,使其修饰碳糊电极(CPE)构建光电化学传感器.对实验条件优化后的结果表明,该传感器对对氨基酚(4-AP)具有良好的检测效果,在浓度5.0×10-5～1.0×10-8 mol/L范围内与光电响应成一定的线性关系,为光电传感的进一步发展提供一个新方向.

摘要： 基于摩尔定律即将走到极限,各家半导体业者正寻求第三代半导体开发。所谓第三代半导体系指材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)及硒化锌等宽频半导体为主,有别于第一代的硅(Si)、第二代的砷化镓(GaAs)之半导体材料。根据市场研究机构预测,2027年,全球GaN半导体器件市场规模预计将达到58.5亿美元(折合人民币约408亿元),从2020年到2027年,复合年增长率为19.8%。

摘要： 第三代半导体以氮化镓、碳化硅、硒化锌等宽带半导体原料为主,更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件。目前,第三大半导体材料市场呈现出美日欧玩家领先的格局。相比之下,中国的第三代半导体产业稍显贫弱,在技术领先度、市场份额占比等方面较落后。

摘要： 旨在寻找一种绿色高效的降解环境中抗生素类有机污染物的方法.首先通过水热法制备得到ZnSe微球状光催化剂,通过SEM、FTIR和XRD对ZnSe微球的结构进行表征,并考察ZnSe微球光催化降解水中左氧氟沙星的性能.结果 表明,通过水热法可制备得到单分散性能良好的高纯度ZnSe微球,且ZnSe微球在降解时间6h时,对左氧氟沙星的降解率约为57.89％.ZnSe微球状光催化剂在降解水中残余抗生素类有机污染物方面具有潜在应用价值.

摘要： ZnSe晶体是红外光学材料的基板和光电调制器的基础材料.本文介绍了ZnSe晶体的光学基本性质,以及在ps或者fs等微小时间量级上,ZnSe晶体在非线性光学领域的应用.通过阐述光学晶体的非线性测量方法,解释了光致折射的变化,主要产生的是自聚焦、自散焦以及光学克尔效应等光学非线性特性.通过光学模拟,详细分析在激光器作用下的快速微观过程的基础研究.通过改变ZnSe晶体的非线性,可实现对腔内自相位调制强度的调控,使得脉冲光谱得到有效展宽和脉冲压缩.

摘要： 硒化锌(ZnSe)是一种具有应用前景的半导体光电材料,近年来得到了学者的广泛关注.制备出质量较高的ZnSe早已经成为光电技术研究领域里一项重要的课题.主要叙述了最近几年来ZnSe纳米材料的一些制备技术方法的研究进程以及特点,并展望了其应用前景.%ZnSe as an important photoelectric semiconductor material,which has received attention in recent years.It is one of the important pro-jects in the field of photoelectric technique to fabricate ZnSe with high quality. In this paper, the research progress and characterization of growth methods of ZnSe were reviewed in detail.The prospect of application were described.

摘要： 采用电子束热蒸发技术制备了ZnSe薄膜,研究了532 nm波长的不同能量(2.0 mJ、2.5mJ、3.0 mJ)、不同脉冲数(3、10、15)激光诱导前后,ZnSe薄膜的透射率、折射率、消光系数、损伤阈值(LIDT)的变迁.研究结果显示,在能量为2.0 mJ激光辐照后,ZnSe薄膜折射率提高,透射率下降.相比较能量为2.5mJ、3.0mJ激光辐照,在能量为2.0mJ激光辐照后折射率提高最明显,由2.489 4提高到2.501 6.薄膜损伤阈值从0.99 J/cm2提高到1.39 J/cm2(10脉冲辐照);薄膜的损伤经过了无损伤到严重损伤突变的损伤演变过程.采用原子力显微镜对预处理后薄膜表面粗糙度进行检测,发现激光预处理后的薄膜表面粗糙度Ra有所下降,从0.563 nm降低到0.490 nm(15脉冲激光辐照).

摘要： 采用溶剂热法合成前驱体ZnSe(en)0.5纳米片,再分别采用热分解和水热方法处理ZnSe(en)0.5制备ZnSe纳米片.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、比表面积(BET)、紫外-可见漫反射等测试手段对样品的形貌、结构及光学性能进行表征.另外,将两种方法所得ZnSe纳米片的光催化活性进行对比,结果发现采用热分解法所得ZnSe纳米片具有较好的光催化活性.

摘要： 目的配制适合硒化锌雾化施液化学机械抛光的最优抛光液。方法选取氧化铝磨粒、pH调节剂四甲基氢氧化铵、氧化剂过氧化氢、表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮为主要活性成分,以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标,通过正交试验对硒化锌晶体进行精细雾化抛光,分析材料去除机理,并与传统抛光对比。结果氧化铝质量分数为9%、pH值为11、过氧化氢含量为3.5%、聚乙烯吡咯烷酮含量为0.75%时,材料去除率较高,为923.67 nm/min,同时表面粗糙度较小,为2.13 nm。在相同工况条件下,传统抛光材料的去除率和表面粗糙度分别为965.53 nm/min和2.27 nm。结论抛光液各组分对试验结果影响最大的为氧化铝磨粒,然后依次为氧化剂、pH值、表面活性剂。精细雾化抛光效果与传统抛光相近,但抛光液用量仅为后者的1/8。

摘要： 白色硒化锌发光二极體为低阻抗n型(100)硒化锌基板上用分子束磊晶(MBE)的技术成长.其发光强度以Φ5 lamp为代表5~7烛光(最大8烛光),效率为30流明/瓦.硒化锌白光发光二极體是在发橘黄色的硒化锌基板上成长发蓝绿光活性層的同質磊晶層.二種波长混合而成的白光.而這自體发光的硒化锌基板其发光波长可從510奈米(绿色)至780奈米(近红外光).

摘要： 长波红外滤光片在低温下通常存在中心波长漂移和透过率降低等缺点。本文介绍了一种应用于低温的长波宽带滤光片的设计与制作。该滤光片以锗为基底，硒化锌及碲化铅为膜层材料，采用真空薄膜沉积方法制备。滤光片温度从300K至90K，中心波长仅飘移5.2×10-3微米，在选定波长区域最大透过率达85％。因此，低温下该滤光片对目标气体组分有较高分辨能力。

摘要： 利用溶剂热法,通过添加不同种类的溶剂及改变反应温度、反应时间,成功合成了具有片状、棒状、球状、圆锥花序状等不同形貌的纳米/微米级硒化镉、硒化锌半导体材料.简单讨论了表面活性剂、反应温度及反应时间对产物形貌及尺寸的影响.所得产物进行了扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)等表征.

摘要： 本文报道了用化学气相沉积(CVD)方法生长硒化锌(ZnSe)多晶材料的生长方法,对晶体生长过程中工艺参数进行了实验研究,讨论了CVD方法生长硒化锌(ZnSe)多晶材料各种因素的相互影响.

摘要： 尺寸均一的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在大量制取时很容易地通过单分散ZnSe纳米花和Cu2+离子在溶液中的离子交换反应控制.ZnSe和CuSe的不同的溶解度(Ksp)是这些花状纳米复合材料形成的主要驱动力.合成的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在可见光照射下降解甲基橙和亚甲基蓝染料的光催化活性有了极大地提高.对CuSe-ZnSe花状纳米复合材料降解染料可能的机制进行了讨论.通过使用这种离子交换法合成的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在实际应用中具有极大的潜在价值.

摘要： 尺寸均一的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在大量制取时很容易地通过单分散ZnSe纳米花和Cu2+离子在溶液中的离子交换反应控制.ZnSe和CuSe的不同的溶解度(Ksp)是这些花状纳米复合材料形成的主要驱动力.合成的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在可见光照射下降解甲基橙和亚甲基蓝染料的光催化活性有了极大地提高.对CuSe-ZnSe花状纳米复合材料降解染料可能的机制进行了讨论.通过使用这种离子交换法合成的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在实际应用中具有极大的潜在价值.

摘要： 尺寸均一的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在大量制取时很容易地通过单分散ZnSe纳米花和Cu2+离子在溶液中的离子交换反应控制.ZnSe和CuSe的不同的溶解度(Ksp)是这些花状纳米复合材料形成的主要驱动力.合成的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在可见光照射下降解甲基橙和亚甲基蓝染料的光催化活性有了极大地提高.对CuSe-ZnSe花状纳米复合材料降解染料可能的机制进行了讨论.通过使用这种离子交换法合成的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在实际应用中具有极大的潜在价值.

摘要： 尺寸均一的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在大量制取时很容易地通过单分散ZnSe纳米花和Cu2+离子在溶液中的离子交换反应控制.ZnSe和CuSe的不同的溶解度(Ksp)是这些花状纳米复合材料形成的主要驱动力.合成的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在可见光照射下降解甲基橙和亚甲基蓝染料的光催化活性有了极大地提高.对CuSe-ZnSe花状纳米复合材料降解染料可能的机制进行了讨论.通过使用这种离子交换法合成的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在实际应用中具有极大的潜在价值.

摘要： 尺寸均一的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在大量制取时很容易地通过单分散ZnSe纳米花和Cu2+离子在溶液中的离子交换反应控制.ZnSe和CuSe的不同的溶解度(Ksp)是这些花状纳米复合材料形成的主要驱动力.合成的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在可见光照射下降解甲基橙和亚甲基蓝染料的光催化活性有了极大地提高.对CuSe-ZnSe花状纳米复合材料降解染料可能的机制进行了讨论.通过使用这种离子交换法合成的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在实际应用中具有极大的潜在价值.

摘要： 尺寸均一的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在大量制取时很容易地通过单分散ZnSe纳米花和Cu2+离子在溶液中的离子交换反应控制.ZnSe和CuSe的不同的溶解度(Ksp)是这些花状纳米复合材料形成的主要驱动力.合成的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在可见光照射下降解甲基橙和亚甲基蓝染料的光催化活性有了极大地提高.对CuSe-ZnSe花状纳米复合材料降解染料可能的机制进行了讨论.通过使用这种离子交换法合成的CuSe-ZnSe花状纳米复合材料在实际应用中具有极大的潜在价值.

摘要： 一种铜锌锡硫硒薄膜，包括依次层叠的由铜锌锡硒及铜锌锡硫材料制成的入光层、中间层及背光层；所述入光层包括第一入光面及第一背光面，所述入光层的材料中硫与硒的摩尔比值沿所述第一入光面到所述第一背光面的方向逐渐降低；所述背光层包括与所述中间层相连的第二入光面及远离所述中间层的第二背光面，所述背光层的材料中硫与硒的摩尔比值沿所述第二入光面到所述第二背光面的方向逐渐升高；其中，所述第一背光面处材料与所述第二入光面处材料中硫与硒的摩尔比值相等。上述铜锌锡硫硒薄膜能提高对光生载流子的收集效率，进而提高了使用该薄膜的太阳能电池的光电转换效率。同时还提供了该铜锌锡硫硒薄膜的制法及一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池。

摘要： 一种铜锌锡硫硒薄膜，包括依次层叠的由铜锌锡硒及铜锌锡硫材料制成的入光层、中间层及背光层；所述入光层包括第一入光面及第一背光面，所述入光层的材料中硫与硒的摩尔比值沿所述第一入光面到所述第一背光面的方向逐渐降低；所述背光层包括与所述中间层相连的第二入光面及远离所述中间层的第二背光面，所述背光层的材料中硫与硒的摩尔比值沿所述第二入光面到所述第二背光面的方向逐渐升高；其中，所述第一背光面处材料与所述第二入光面处材料中硫与硒的摩尔比值相等。上述铜锌锡硫硒薄膜能提高对光生载流子的收集效率，进而提高了使用该薄膜的太阳能电池的光电转换效率。同时还提供了该铜锌锡硫硒薄膜的制法及一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池。

摘要： 本发明提供一种发光硒化锌纳米棒的合成方法，该方法按以下步骤进行：a、先将硼氢化钠和硒粉按照反应配比溶解在水中，然后在惰性气体保护下反应，得重量浓度为1.5-2％的硒氢化钠溶液；b、按照溶有锌离子的可溶性盐∶L-巯基丙氨酸∶水＝100∶22-37∶140000-240000重量份配比混匀，再于搅拌下加入巯基乙酸或者巯基丙酸，调pH＝9-11，然后充惰性气体除去溶液中的溶解氧；c、按照反应配比将a工序的硒氢化钠溶液加入b工序溶液中，然后加热回流，得发光硒化锌纳米棒水溶液。

摘要： 本发明公开了硒化镉/硒化锌/硫化锌(CdSe/ZnSe/ZnS)双壳层量子点的合成方法。硒化镉/硒化锌/硫化锌量子点的荧光具有较强的发光强度和稳定性，较好地防止镉元素泄露，使材料更环保、安全。本发明在两种体系中合成上述的双壳层结构量子点，具体步骤为：先在有机溶剂中通过反应溶液的快速注射形成硒化镉结晶核并生长得到硒化镉量子点；再通过两个步骤的选定溶液加入，先后在硒化镉外形成硒化锌和硫化锌两层外延生长的壳层，得到双壳层的核壳结构量子点。本发明由于采用了安全性较高且容易获得的化学试剂，具有安全、易操作和成本相对低廉的特点，有利于控制成本及规模化生产。所得的材料可用于发光器件及生物分子荧光标记等领域。

摘要： 一种硒前驱液，由单质硒在惰性气体保护下并加热溶于油酰吗啉溶剂中制备得到的硒前驱液。用该硒前驱液制备硒化镉或硒化锌量子点的方法是将硒前驱液与脂肪酸镉或脂肪酸锌前驱液在惰性气体保护下搅拌混合后于150～330°C条件下进行热解反应，最后用低碳醇分离和纯化。油酰吗啉对单质硒溶解能力强，且与其他绿色常规溶剂相容性好，可以提高硒化物纳米晶的体积产率，得到尺寸较窄的高质量的量子点。

摘要： 一种由二氧化硒合成硒化镉或硒化锌量子点的方法，是将二氧化硒前驱液在搅拌下加入脂肪酸镉或脂肪酸锌前驱液中，于150～320°C条件下进行反应，反应结束后用低碳醇进行分离和纯化。本方法完全不用烷基膦和其他对环境有害的溶剂和表面活性剂，且能得到尺寸分布较窄的高质量的量子点。

摘要： 本发明公开了硒化镉/硒化锌/硫化锌(CdSe/ZnSe/ZnS)双壳层量子点的合成方法。硒化镉/硒化锌/硫化锌量子点的荧光具有较强的发光强度和稳定性，较好地防止镉元素泄露，使材料更环保、安全。本发明在两种体系中合成上述的双壳层结构量子点，具体步骤为：先在有机溶剂中通过反应溶液的快速注射形成硒化镉结晶核并生长得到硒化镉量子点；再通过两个步骤的选定溶液加入，先后在硒化镉外形成硒化锌和硫化锌两层外延生长的壳层，得到双壳层的核壳结构量子点。本发明由于采用了安全性较高且容易获得的化学试剂，具有安全、易操作和成本相对低廉的特点，有利于控制成本及规模化生产。所得的材料可用于发光器件及生物分子荧光标记等领域。

摘要： 本发明提供一种发光硒化锌纳米棒的合成方法，该方法按以下步骤进行：a.先将硼氢化钠和硒粉按照反应配比溶解在水中，然后在惰性气体保护下反应，得重量浓度为1.5－2％的硒氢化钠溶液；b.按照溶有锌离子的可溶性盐∶L－巯基丙氨酸∶水＝100∶2237∶140000－240000重量份配比混匀，再于搅拌下加入巯基乙酸或者巯基丙酸，调pH＝9－11，然后充惰性气体除去溶液中的溶解氧；c.按照反应配比将a工序的硒氢化钠溶液加入b工序溶液中，然后加热回流，得发光硒化锌纳米棒水溶液。

摘要： 一种硒前驱液，由单质硒在惰性气体保护下并加热溶于油酰吗啉溶剂中制备得到的硒前驱液。用该硒前驱液制备硒化镉或硒化锌量子点的方法是将硒前驱液与脂肪酸镉或脂肪酸锌前驱液在惰性气体保护下搅拌混合后于150～330°C条件下进行热解反应，最后用低碳醇分离和纯化。油酰吗啉对单质硒溶解能力强，且与其他绿色常规溶剂相容性好，可以提高硒化物纳米晶的体积产率，得到尺寸较窄的高质量的量子点。

摘要： 一种由二氧化硒合成硒化镉或硒化锌量子点的方法，是将二氧化硒前驱液在搅拌下加入脂肪酸镉或脂肪酸锌前驱液中，于150～320°C条件下进行反应，反应结束后用低碳醇进行分离和纯化。本方法完全不用烷基膦和其他对环境有害的溶剂和表面活性剂，且能得到尺寸分布较窄的高质量的量子点。