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杜江锋; 赵金霞; 伍捷; 杨月寒; 武鹏; 靳翀; 陈卫;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;
解析模型; 击穿电压; 电场分布; 场板; GaN;
机译:具有极化效应的二维完全解析模型,用于基于GaN的场镀高电子迁移率晶体管的截止态沟道电势和电场分布
机译:基于等效电位法的栅接法AlGaN / GaN HEMT的势能和电场分布解析模型
机译:具有源场板结构以提高击穿电压的HfAlO / AlGaN / GaN MOS-HEMT的研究
机译:具有嵌入式源极场板结构的AlN / GaN MIS-HEMT的可扩展漏极电流模型
机译:隧道场效应晶体管的解析模型和GaN高电子迁移率晶体管的实验研究。
机译:具有超薄势垒的InAlN / GaN异质结构中高电场下热电子诱导的不饱和电流行为
机译:具有高频场板结构的GaN HEMT设计的物理建模和优化
机译:GaN器件开发项目基板结构分析和薄膜生长输入的现状
机译:高功率应用的具有内部场-板结构的GAN-HEMT(高电子迁移率晶体管)结构
机译:用于测量空气质量流量的热膜空气质量传感器,具有传感器表面和梯度场产生装置,该装置形成为产生具有场梯度的电场,其中电场部分穿透空气质量流
机译:具有场板结构的半导体组件以及用于制造具有场板结构的半导体组件的方法
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