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具有电场调制的新型AlGaN/GaN HEMT场分布模型研究

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第一章 绪论

1.1 GaN材料特性和优化GaN基HEMT的主要技术

1.2 GaN基HEMT器件研究进展

1.3本论文的研究内容与工作安排

第二章 RESURF AlGaN/GaN HEMT器件数值建模与二维温度场分析

2.1 RESURF AlGaN/GaN HEMT器件数值解析模型

2.2具有阶梯AlGaN新型AlGaN/GaN HEMT二维温度场分析

2.3本章小结

第三章 AlGaN/GaN HEMT器件变温特性研究

3.1待测样品介绍

3.2 AlGaN/GaN HEMT器件变温特性测量

3.3本章小结

第四章 具有阶梯AlGaN新型AlGaN/GaN HEMT器件结温测量

4.1半导体器件常用结温测量方法

4.2 AlGaN/GaN HEMT器件拉曼光谱法结温测试

4.3本章小结

第五章 总结与展望

5.1总结

5.2展望

参考文献

致谢

作者简介

1. 基本情况

2. 教育背景

3. 攻读硕士学位期间的研究成果

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