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兰立广; 张志国; 杨瑞霞; 冯志宏; 蔡树军; 杨克武;
河北工业大学信息工程学院;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
电致耦合模型; 氮化镓; 弛豫; 逆压电效应; 二维电子气;
机译:氨MBE生长的双异质结AlGaN / GaN / AlGaN HEMT异质结构的光致发光,受激发射,光反射和2DEG特性的研究
机译:2DEG运输性能对AlGaN / GaN Hemt和Algan / Ingan / GaN Phemt的温度
机译:具有InGaN / GaN MQW背势垒结构的AlGaN / AlN / GaN HEMT结构的2DEG特性的数值研究
机译:复合屏障AlGaN / GaN HEMT的简化2DEG载体浓度模型
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)应力发展的电 - 热 - 力学瞬态建模(后印刷)。
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
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