Si_1-xGe_x/Si超高真空化学气相外延工艺的研究

摘要

为了研制出高性能的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ异质结器件，生长出适合器件应用的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料，利用自行研制的超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）设备，研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ生长速度以及组份随ＧｅＨ４流量的变化规律。实验结果表明：Ｓｉ１－ｘＧｅｘ生长速度随ＧｅＨ４流量明显增加，且外延层中Ｇｅ与Ｓｉ组份的比值约是气相中的ＧｅＨ４与ＳｉＨ４分压比值的２．５倍。提出了一个简单的生长动力学模型，解释了组份与流量的关系。Ｒａｍａｎ谱分析结果表明外延层为完全应变的。利用该材料制作出了性能良好的二极管。