机译:通过使用Si2H6,Si3H8或Si4H10作为Si前体的超高真空化学气相沉积法对Si1-xCx进行外延
Yonsei Univ, Dept Mat Sci & Engn, Seoul 03722, South Korea;
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机译:通过超高真空/化学气相沉积进行的低温Si和Si:Ge外延:工艺基础
机译:气源分子束外延和超高真空化学气相沉积过程中Si1-xGex(001)的氢解吸途径
机译:化学气相沉积前驱体化学.5。化学气相沉积对铝薄膜的光解激光沉积
机译:使用等离子体活性氧和硅烷的超高真空化学气相沉积的低温SiO_2形成
机译:使用新型前体新戊硅烷通过化学气相沉积进行的硅基外延。
机译:二甲基二甲氧基硅烷前体的化学气相沉积法合成二氧化硅膜
机译:通过低温化学气相沉积使用Si3H8生长SiGe
机译:通过热和激光辅助金属有机化学气相沉积的III-V化合物半导体的原子层外延