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单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积外延系统

摘要

单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)外延系统属于集成电路半导体薄膜外延生长技术和超晶格薄膜材料生长技术领域。其特征在于:在外延生长室的石英反应腔内有一个衬片旋转机构,该机构水平放置在上述反应腔内。该机构含有:提供旋转动力源的变速马达(自带或附加减速器)、与该变速马达相连接的密封磁扭力传输组件,带有螺纹的石英玻璃杆、与该杆实行外螺纹啮合的石英环、石英环上固定有多个用于托起外延生长衬片的石英柱、支撑石英环的装有滚珠的石英档块、固定石英档块的石英玻璃平板。由于增加了本机构,因此本发明可大大提高外延衬片的薄膜内组分以及厚度的均匀性。

著录项

  • 公开/公告号CN100427641C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN200510086476.2

  • 申请日2005-09-23

  • 分类号C23C16/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京市100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/00 授权公告日:20081022 终止日期:20140923 申请日:20050923

    专利权的终止

  • 2008-10-22

    授权

    授权

  • 2006-04-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-03-01

    公开

    公开

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