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李兴冀1; 陈朝基2; 杨剑群1; 刘超铭1; 马国亮1;
[1]哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,黑龙江哈尔滨150001;
[2]中国空间技术研究院载人航天总体部,北京100094;
双极晶体管; 电离辐射; 界面态; 深能级瞬态谱仪; 栅扫技术;
机译:栅极控制的横向PNP双极晶体管中的伽马射线和中子辐照引起的电离/位移协同效应
机译:模拟电离辐射引起的横向PNP双极结晶体管的增益衰减
机译:发射极中掺杂的硼浓度对横向PNP晶体管中高剂量率和低剂量率损伤的影响
机译:依赖基部宽度和掺杂电流降解掺杂浓度在栅极控制的横向PNP双极晶体管中暴露于反应器中子和伽马射线的情况下
机译:在空间环境中对侧向PNP双极结晶体管的辐射和热效应进行分离。
机译:氢气气氛下日本根瘤菌H2吸收阳性菌株的自养生长
机译:磁化中子星形气氛的模型:具有真空偏振的薄环境和部分电离氢气氛围
机译:由于测量偏差导致的横向pnp晶体管的适度降级增强
机译:具有横向pnp晶体管和垂直pnp晶体管的半导体器件。
机译:半导体器件,在半导体基板上形成隔离的插片的方法,半导体结构,PNP晶体管,横向N通道DMOS晶体管和横向沟槽DMOS晶体管
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