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机译:发射极中掺杂的硼浓度对横向PNP晶体管中高剂量率和低剂量率损伤的影响
doping concentration; lateral PNP transistors; radiation damage; dose rates;
机译:发射极中掺杂的硼浓度对横向PNP晶体管中高剂量率和低剂量率损伤的影响
机译:轻掺杂和重掺杂发射极的横向PNP BJT中的辐射引起的增益衰减
机译:PNP功率晶体管正向发射电流增益和几何尺寸对电压调节器辐射容限的影响
机译:高性能垂直pnp晶体管的掺硼发射极
机译:在空间环境中对侧向PNP双极结晶体管的辐射和热效应进行分离。
机译:掺硼石墨烯带对沟道长度对晶体管输运特性的影响
机译:采用轻掺杂和重掺杂发射极的横向pNp BJT中的辐射诱导增益降低
机译:采用轻掺杂和重掺杂发射极的横向pNp BJT中的辐射诱导增益降低