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郑玉展; 陆妩; 任迪远; 王义元; 郭旗; 余学锋; 何承发;
中国电子学会;
中国核学会;
发射极面积; 晶体管; 剂量率; 辐射损伤;
机译:NPN双极型结晶体管在不同剂量率下辐射引起的增益衰减模型
机译:发射极中掺杂的硼浓度对横向PNP晶体管中高剂量率和低剂量率损伤的影响
机译:掺氟的NPN多晶硅发射极双极晶体管的热载流子应力
机译:2-MeV电子辐照在npn Si双极晶体管中辐射诱导的晶格缺陷的剂量率依赖性和性能下降
机译:4-氢碳化硅中的高压注入-发射极双极结型晶体管和Darlington晶体管。
机译:基于二硫苏糖醇和甲基丙烯酸(MAGADIT)的高剂量率FFF辐射典型高剂量率新型3D聚合物凝胶的基本特性:灵敏度范围可重复性准确性剂量率效应和除氧剂的影响
机译:spEED三轴二极管的辐射场结果,大面积,高剂量率,短脉冲1 mV Bre致辐射源
机译:基极耦合的RS和D触发器具有第三NPN晶体管-在接地和多发射极晶体管之间,第一发射极提供电路变化
机译:电源电路发射极开关双极晶体管电路,在NPN晶体管的下游连接金属氧化物半导体晶体管,该晶体管由驱动器-金属氧化物半导体场效应晶体管控制
机译:使用发射极面积不同的晶体管可在低电源电压下工作的线性跨导放大器
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