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邱然; 刘禹涵; 李百奎;
深圳大学物理与光电工程学院 光电子器件与系统教育部/广东省重点实验室 广东深圳518060;
光学工程; 氮化镓; 功率电子器件; 高电子迁移率场效应管; 常关型; 栅极工程; 电致发光;
机译:普通of of ovall / gan hemts的肖特基/欧姆型P-GaN门中栅极不稳定特性的研究
机译:中子辐照下GaN电力装置肖特基P-GAN栅极堆的劣化机理
机译:高频开关下肖特基型P-GaN栅极HEMT动态阈值电压的表征
机译:肖特基型p-GaN栅极HEMT的低温加速栅极可靠性
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:通过多栅极扫描测量确定P-GaN栅极HEMT中的栅极击穿机构
机译:掺入p型肖特基栅极势垒的alGaas / Gaas调制掺杂场效应晶体管的研究与分析
机译:GAAS肖特基栅极型场效应型晶体管的制造
机译:用于提高P-GaN栅极高电子迁移率晶体管的缺点的装置和半导体结构
机译:肖特基势垒MOS晶体管的生产或完全耗尽的绝缘体上硅型薄膜,涉及在隧道中填充介电层,以及横向蚀刻该层以在栅极区域下维持介电区
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