首页> 外文OA文献 >Determination of the Gate Breakdown Mechanisms in p-GaN Gate HEMTs by Multiple-Gate-Sweep Measurements

【2h】

Determination of the Gate Breakdown Mechanisms in p-GaN Gate HEMTs by Multiple-Gate-Sweep Measurements

机译：通过多栅极扫描测量确定P-GaN栅极HEMT中的栅极击穿机构

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Guangnan Zhou; Fanming Zeng; Yang Jiang; Qing Wang; Lingli Jiang; Guangrui Xia; Hongyu Yu;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2021
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Determination of the Gate Breakdown Mechanisms in p-GaN Gate HEMTs by Multiple-Gate-Sweep Measurements [J] . Zhou Guangnan, Zeng Fanming, Jiang Yang, IEEE Transactions on Electron Devices . 2021,第4期

机译：通过多栅极扫描测量确定P-GaN栅极HEMT中的栅极击穿机构
2. Gate Leakage Suppression and Breakdown Voltage Enhancement in p-GaN HEMTs Using Metal/Graphene Gates [J] . Zhou Guangnan, Wan Zeyu, Yang Gaiying, IEEE Transactions on Electron Devices . 2020,第3期

机译：使用金属/石墨烯栅极P-GaN Hemts栅极泄漏抑制和击穿电压增强
3. Carrier Transport Mechanisms Underlying the Bidirectional ${V}_{mathrm{{TH}}}$ Shift in p-GaN Gate HEMTs Under Forward Gate Stress [J] . Shi Yuanyuan, Zhou Qi, Cheng Qian, IEEE Transactions on Electron Devices . 2019,第2期

机译：双向 $ {V} _ { mathrm {{TH}}} $ 正向栅极应力下p-GaN栅极HEMT的移位
4. Impact Ionization Induced Breakdown and Related HTRB Behaviors in 100-V p-GaN Gate HEMTs [C] . Yan Cheng, Yuru Wang, Sirui Feng, International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs . 2021

机译：冲击电离诱导100V P-GaN门垫中的击穿和相关HTRB行为
5. Investigation of normally-off mode AlGaN/GaN MOS HEMT device utilizing gate recession and p-GaN gate structure with ald grown high k gate insulators for high power application. [D] . Ma, Jin Seock. 2016

机译：研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件，该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
6. Surface-Potential-Based Compact Modeling of p-GaN Gate HEMTs [O] . Jie Wang, Zhanfei Chen, Shuzhen You, 2021

机译：基于表面电位的P-GaN门垫的紧凑型造型
7. Normally-off p-GaN Gated AlGaN/GaN HEMTs Using Plasma Oxidation Technique in Access Region [O] . Xinke Liu, Hsien-Chin Chiu, Chia-Hao Liu, 2020

机译：常关P-GaN门控AlGaN / GaN Hemts使用等离子体氧化技术在接入区域中

Determination of the Gate Breakdown Mechanisms in p-GaN Gate HEMTs by Multiple-Gate-Sweep Measurements

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅