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硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用

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摘要

利用MNDO方法和模型硅晶体计算了硅中氢分子和空位型缺陷问的相互作用能.得到了晶体硅中氢分子和空位型缺陷倾向于相互结合,含氢空位型缺陷可成为硅中氢和空位聚集的核心的结论.

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来源
《半导体学报》 |1989年第7期|561-563|共3页
作者
施天生; 白国仁;
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作者单位

中国科学院上海冶金研究所;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.120;
关键词
硅; 氢; 缺陷;

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