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李秀琼; 海潮和; 杨军;
中国科学院微电子中心;
场效应晶体管; MOSFET; 微电子器件;
机译:利用电子束蒸发的SiO 2 sub>和Al 2 sub>在硼掺杂(111)H端接的表面上制备亚微米级栅长的金属-氧化物-金刚石场效应晶体管> O 3 sub>
机译:通过聚焦电子束诱导沉积制备的亚微米霍尔器件
机译:电子束光刻技术对共轭聚合物和聚合物发光器件的直接亚微米成像
机译:使用直接写电子束光刻制备亚微米CMOS-SOS器件
机译:延伸横向掺杂突变对深亚微米器件性能的影响。
机译:SiO2球形掩模的ICP刻蚀技术制备金刚石亚微米透镜和圆柱体
机译:通过直接写电子束光刻技术制备的亚微米调制掺杂场效应晶体管/金属半导体基光电子集成电路接收器
机译:聚合物表面的改性及亚微米级功能化结构的深紫外和电子束光刻制备
机译:利用直接写电子束光刻技术形成的亚微米硅化物结构制造极紫外和深紫外光刻技术的面罩的方法
机译:电阻电子束光刻技术制备耐亚亚微米耐腐蚀金属-半导体结构
机译:电阻电子束光刻技术制备耐亚亚微米耐腐蚀金属/半导体结构
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