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杨国文; 肖建伟; 徐遵图; 张敬明; 徐俊英; 郑婉华; 曾一平; 陈良惠;
中国科学院半导体研究所;
量子阱激光器; 砷化镓; 分子束外延;
机译:通过GaP和GaAs分解源的MBE均匀生长高质量的2直径In_0.53Ga_0.47As / In_0.52Al_0.48As / InP和In_0.2Ga_0.8As / GaAs / AlGaAs多量子阱晶片
机译:高功率,单模InGaAs-GaAs-AlGaAs应变量子阱激光器,采用新的电流阻挡方案,使用MBE在低衬底温度下生长的GaAs层
机译:MBE生长的As-Rich-GaAs / ZnSe异质界面附近的GaAs / AlGaAs量子阱的光学和结构性质
机译:MBE生长的GaAs / AlGaAs和应变InGaAs / AlGaAs / GaAs量子级联激光器
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:输出电源限制和被动模式锁定GaAs / Algaas量子阱激光器的改进
机译:改进的mBE硬件和技术以及镓纯度的作用 二维电子气迁移率> 35 x10 ^ 6 cm ^ 2 / Vs in 由mBE生长的alGaas / Gaas量子阱
机译:Gaas键合层在提高应变层InGaas / alGaas量子阱二极管激光器OmVpE生长和性能中的作用
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:利用GaAs / AlGaAs基体制备量子精细阱的方法
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