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王占国; 刘峰奇; 梁基本; 徐波; 丁鼎; 龚谦; 韩勤;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;
量子点激光器; 砷化镓; 分子束外延;
机译:使用In(Ga)As量子点或GaAs基体上生长的量子阱材料对单模无源锁模激光器进行比较
机译:使用In(Ga)As量子点或GaAs基质上生长的量子阱材料的单模被动锁模激光器的比较
机译:高速In / sub 0.4 / Ga / sub 0.6 / As-GaAs自组织量子点激光器在室温下的量子捕获时间
机译:在/ SUB 0.4 / GA / SUB 0.6 / AS / GAAS量子点室温度激光器中的调制特性和复子瓶颈。/ SUS 0.4 / GA / SUB 0.6 / AS / GAAS量子点室温度激光器
机译:大功率高效电子空穴和单极量子点激光器
机译:1.55 µm InAs / GaAs量子点和高重复率量子点SESAM锁模激光器
机译:np-(p(+) - n(+)) - n al(y)Ga(1-y)as-Gaas-In(x)Ga(1-x)as量子阱激光器,p(+) - n n + Gaas上的(+)Gaas-InGaas隧道接触
机译:量子点激光器和多节量子点激光器的调制方法
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