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IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits
IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits
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1.
Formation Of Low Temperature Ohmic Contacts To GaAs MESFETs And GaAs/AlGaAs MODFETs
机译:
形成低温欧姆接触GaAs Mesfet和GaAs / Algaas Modfets
作者:
Cibuzar G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
2.
A Study Of Charge Control In n- And p-type Lattice Matched And Strained Channel MODFETs With GaAs And InP Substrates
机译:
具有GaAs和INP基板的N-和P型格子匹配和紧张通道模块的电荷控制研究
作者:
Jaffe M.D.
;
Sekiguchi Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
3.
GaAs Integrated Circuit Testing Using Electrooptic Sampling
机译:
GaAs集成电路测试使用电光采样
作者:
Weingarten K.J.
;
Rodwell M.J.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
4.
Planar Fully Ion-Implanted High Power InP MISFETs
机译:
平面完全离子植入的高功率INP MISFET
作者:
Messick L.
;
Nguyen R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
5.
Carrier Deconfinement Limited Velocity In Pseudomorphic AlGaAsiin GaAs Modulation-doped Field Effect Transistors (MODFET's)
机译:
假形藻类藻类GaAs调制掺杂场效应晶体管(MODFET)中的载体解构限量限制速度
作者:
Nguyen L.D.
;
Foisy M.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
6.
Sensitivity Of The RF Performance Of GaAs Power FETs To Process-dependent Parameters
机译:
GaAs电力FET的RF性能对处理相关参数的敏感性
作者:
Khatibzadeh M.A.
;
Trew R.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
7.
Fabrication Technology For Monolithic GaAs VFETs*
机译:
单片GaAs VFET的制造技术*
作者:
Clarke R.C.
;
Driver M.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
8.
Ion-Implanted Self-Aligned-Gate Quantum-well Heterostructure FETs
机译:
离子植入的自对准栅量子 - 孔过度结构FET
作者:
Kiehl R.A.
;
Wright S.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
9.
Equivalent Circuits For High Frequency Transistors
机译:
高频晶体管的等效电路
作者:
Trew R.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
10.
New MBE Buffer For Micron And Quarter-Micron Gate GaAs MESFET's
机译:
微米和四分之一微米栅极Gaas Mesfet的新MBE缓冲区
作者:
Smith F.W.
;
Calawa A.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
11.
A Controlled-Avalanche Superlattice Transistor
机译:
控制雪崩超晶晶体管
作者:
Chin A.
;
Bhattacharya P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
12.
A Self-Aligned AlGaAs/GaAs Heterostructure Bipolar Transistor With Non Alloyed Graded-Gap Ohmic Contacts To The Base And Emitter
机译:
具有非合金化梯形间隙欧姆触点的自对准藻类/ GaAs异质结构双极晶体管与基部和发射器
作者:
Rao M.A.
;
Long S.I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
13.
Current Directions In Resonant Tunneling Research
机译:
谐振隧道研究中的当前方向
作者:
Sollner T.C.L.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
14.
Electro-Optic Sampling Of High-speed III-V Devices And ICS
机译:
高速III-V设备和IC的电光采样
作者:
Jain R.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
15.
Low Noise 0.1-/spl mu/m GaAs MESFETs by MBE
机译:
低噪声0.1- / SPL MU / M Gaas MESFET通过MBE
作者:
Mishra U.K.
;
Beaubien R.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
16.
Enhance / Deplete GaAs SISFETs
机译:
增强/消耗GaAs SISFETS
作者:
Baratte H.
;
La Tulipe D.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
17.
IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits
机译:
IEEE / CORNELL关于高速半导体器件和电路的高级概念会议
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
18.
Table of Contents
机译:
目录
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
19.
Novel High-speed Transistor Based On Charge Emission From A Quantum Well
机译:
基于量子阱的电荷发射的新型高速晶体管
作者:
Kastalsky A.
;
Grinberg A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
20.
A Study Of GaAs Inversion-Base Bipolar Transistor
机译:
GAAS反转基础双极晶体管的研究
作者:
Huang C.I.
;
Cheney M.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits》
|
2001年
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