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苏向斌;
西北大学;
InAs; GaAs; 量子点激光器; 材料外延;
机译:1.3- / splμm/ m InGaAs-GaAs量子点GaAs基激光器的自发发射和阈值特性
机译:通过分子束外延生长的低阈值1.3- / splμm/ m InGaAsN:Sb-GaAs单量子阱激光器
机译:1.3-μmGaAs基氧化物限制的(InGa)As-GaAs量子点垂直腔面发射激光器的阈值操作建模
机译:低阈值1.3-μm的制造在室温下操作的低阈值1.3-μminas / ingaas / gaas量子点激光器
机译:InGaAs量子点和量子点激光器的交替分子束外延和表征。
机译:自组装GaInNAs / GaAsN量子点激光器:固体源分子束外延生长和高温操作
机译:高性能三层1.3- / spl mu / m Inas-Gaas量子点激光器,具有极低的连续波室温阈值电流 ud
机译:有机金属气相外延生长的alInGaas / alGaas分离限制异质结构应变单量子阱二极管激光器
机译:一种通过烟道sig外延外延技术生产激光器和Ingaas-激光器和-led的双异质结构的方法,适用于范围为(λ)= 1,2(μm)m至1,7( μm)米
机译:InGaAs-利用液滴外延生长的InGaAs量子点环结构及其制造方法
机译:通过液相外延制造波长范围为1.2um至1.7um的InGaAsP和InGaAs双异质结构激光器和LED的方法
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