首页> 中文期刊>半导体学报：英文版 >MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究(英文)

MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究(英文)

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.

著录项

来源
《半导体学报：英文版》|2008年第7期|1242-1245|共4页
作者
马志芳; 王玉田; 江德生; 赵德刚; 张书明; 朱建军; 刘宗顺; 孙宝娟; 段瑞飞; 杨辉; 梁骏吾;
展开▼
作者单位

中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室;

中国科学院半导体所半导体照明研发中心;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
X射线漫散射; GaN; 缺陷团;
入库时间 2022-08-20 23:23:50

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. MOCVD生长的GaN和GaN:Mg薄膜的拉曼散射 [J] . 王瑞敏 ,陈光德 ,LIN J Y . 发光学报 . 2005,第002期
2. GaN和p型GaN薄膜中声子模和缺陷模的变温喇曼散射(英文) [J] . 王瑞敏 ,陈光德 ,Lin J Y . 半导体学报：英文版 . 2005,第4期
3. MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析(英文) [J] . 张晓敏 ,王彦杰 ,杨子文 . 半导体学报：英文版 . 2008,第8期
4. MOCVD生长GaN和GaN:Mg薄膜的对比研究 [J] . 冯倩 ,王峰祥 ,郝跃 . 红外与毫米波学报 . 2004,第003期
5. X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜(英文) [J] . 周劲 ,杨志坚 ,唐英杰 . 发光学报 . 2001,第S1期
6. MOCVD生长的GaN薄膜中的应力分析 [C] . 景微娜 ,郝秋艳 ,解新建 . 第十届全国MOCVD学术会议 . 2007
7. 低温GaN成核层MOCVD生长工艺对GaN外延薄膜影响的研究 [A] . 孙成真 . 2015

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号