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周劲; 杨志坚; 唐英杰; 张国义;
北京大学物理系;
介观物理与人工微结构国家重点实验室;
GaN; 氢化物汽相外延; X射线分析;
机译:通过无石英氢化物-汽相外延生长的n型GaN同质外延层中电子和空穴陷阱的深层瞬态光谱研究
机译:氢化物气相外延在同质GaN上均匀外延生长的厚GaN薄膜的应力和缺陷分布
机译:氢化物汽相外延表征质子生长的GaN
机译:氢化物汽相外延生长GaN外延膜的激子结构
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:氢化物与金属有机气相外延复合生长GaN薄膜的裂纹研究
机译:金属有机化学气相沉积法生长高质量GaN异质外延薄膜
机译:氢化物气相外延生长法形成GaN纳米棒的方法
机译:金属有机化学气相沉积法,高质量N面GaN,InN和AlN及其合金的异质外延生长方法
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