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景微娜; 郝秋艳; 解新建; 刘彩池; 冯玉春;
中国有色金属学会;
中国有色金属工业协会;
华南师范大学;
MOCVD; 腐蚀坑; 应力;
机译:通过HVPE生长比较在MOCVD-GaN / Al_2O_3和MOCVD-GaN / SiC样品上生长的GaN薄膜的应变
机译:V / III比对非极性a面GaN薄膜MOCVD生长中物种扩散各向异性的影响
机译:MOCVD生长的无意掺杂GaN薄膜中的蓝色发光研究
机译:MOCVD使用新型单型前体的MOCVD生长六边形GaN薄膜
机译:在长波长激光应用中,通过MOCVD生长的砷化镓上的材料生长和砷化镓抗酰亚胺的表征。
机译:MOCVD制备的具有单和双异质结的InGaN薄膜中的铟滴形成
机译:mOCVD生长(al,In)GaN薄膜中异常温度诱发发射位移的动力学
机译:低压mOCVD法研究载气对GaN薄膜形貌和镶嵌分散的影响
机译:具有随后多级清洗步骤的MOCVD- MOCVD层生长方法
机译:应力分析中用于形成涂膜层的涂敷液和应力发光结构以及应力分析中的所述应力测量中的应力发光结构
机译:III-氮化物器件中的金属有机化学蒸气缺口(MOCVD)隧道结生长
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