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王瑞敏; 陈光德; LIN J Y; JIANG H X;
西安交通大学 理学院,陕西 西安 710049;
Department of Physics,Kansas State University,Manhattan,Kansas 66506,USA;
氮化镓; 拉曼散射; 应力松弛;
机译:通过HVPE生长比较在MOCVD-GaN / Al_2O_3和MOCVD-GaN / SiC样品上生长的GaN薄膜的应变
机译:通过MOCVD在r面蓝宝石衬底上生长的非极性a面GaN薄膜的偏振拉曼散射研究
机译:MOCVD生长的GaN薄膜在78至870 K之间的拉曼散射和横向有效电荷
机译:通过MOCVD在GaN /蓝宝石上生长的InGaN薄膜的微拉曼散射和时间分辨发光
机译:通过新颖的衬底改性技术在GaN上进行GaN的MOCVD生长。
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:MoCVD在独立GaN模板上生长的GaN和Inxga1-XN薄膜的微观结构
机译:在独立式GaN模板上通过mOCVD生长GaN和In(x)Ga(1-x)N薄膜的微结构
机译:表皮生长基质,生产GAN基半导体薄膜的过程,GAN基半导体薄膜,生产GAN基半导体发光元素的过程以及GAN基半导体发光元素的过程
机译:GaN单晶,GaN薄膜薄膜基体和GaN单晶生长装置的生产方法
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