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刘国利; 王圩; 张佰君; 许国阳; 陈娓兮; 叶小玲; 张静媛; 汪孝杰; 朱洪亮;
中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心;
中国科学院半导体研究所材料科学开放实验室;
选择区域生长; InGaAsP; 多量子阱材料; 半导体材料;
机译:压缩应变的InGaAsP / InGaAsP量子阱激光器结构中以1.55μm发射的量子阱混合过程的光反射研究
机译:通过选择性区域生长实现InAs / InGaAsP / InP量子点中的有效面内能级转移
机译:利用MOCVD研究InGaAsP量子阱结构的选择性区域生长。
机译:高质量的砷化镓-铝镓-砷化物异质结构的分子束表观生长,用于微波设备的应用(量子阱,杂质,光致发光,调制掺杂)。
机译:基于CdTe / CdMgTe量子阱的光栅超材料中磁等离子体的极化
机译:一个10通道多量子阱阵列,与INP上的选择区域生长的InGaAsp层集成
机译:InGaasp光子晶体激光器中量子阱和阱增益峰之间光谱对准的阈值独立性和腔谐振
机译:具有选择氧化型或离子注入型电流限制结构,InGaAsp量子阱以及InGaP或InGaAsp势垒层的表面发射半导体激光元件
机译:-通过介电-半导体盖层的组合在量子阱混合中控制InGaAs / InGaAsP量子阱带隙的方法
机译:具有InGaAsP量子阱和GaAsP势垒层的激光器
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