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欧春晖; 罗毅; 王健; 孙长征; 韩彦军; 熊兵; 郝智彪; 汪莱; 李洪涛;
清华大学电子工程系,信息科学与技术国家实验室,北京100084;
应变 InGaAsP量子阱 增益谱;
机译:应变对InGaAs / InGaAsP应变多量子阱激光器的K因子,差分增益和非线性增益系数的影响
机译:纯应变对应变InGaAsP / InP量子阱激光器的差分增益的影响
机译:InGaAsP / InP量子阱增益介质中增益饱和的应变相关性
机译:低透明电流密度,高增益1.3- / splμm/ m应变层InGaAsP / InP量子阱激光材料
机译:成分调制和变质衬底对用于长波长半导体光放大器的拉伸应变砷化镓铟镓量子阱的影响
机译:GeSn / SiGeSn量子阱中材料增益的横向和横向磁模式的应变工程
机译:使用新型InGaAsP和AlGaAs混合材料系统生长和制备高性能980nm应变InGaAs量子阱激光器
机译:InGaasp光子晶体激光器中量子阱和阱增益峰之间光谱对准的阈值独立性和腔谐振
机译:具有选择氧化型或离子注入型电流限制结构,InGaAsp量子阱以及InGaP或InGaAsp势垒层的表面发射半导体激光元件
机译:-通过介电-半导体盖层的组合在量子阱混合中控制InGaAs / InGaAsP量子阱带隙的方法
机译:在量子阱层和势垒层中均具有三元合金材料的应变量子阱结构
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