渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料

摘要

采用超低压(22 mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15-30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(FullWidth-at-Half-Maximum,FWHM)小于30 meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.