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胡夏融; 张波; 罗小蓉; 姚国亮; 陈曦; 李肇基;
State;
Key;
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Electronic;
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University;
Science;
Technologyof;
China,;
Chengdu;
610054,;
China;
RESURF结构; SOI器件; LDMOS ; 高压 ; 电场分布 ; 掺杂浓度 ; MOS结构; 低导通电阻 ;
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