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SOI硅膜厚度对RESURF LDMOS参数的影响

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对SOI LDMOS进行了建模,得到了器件各主要参数的最优值与 SOI硅膜厚度的关系式.以此为基础用专业软件Medici和Tsuprem 4对器件进行了模拟,得到了最优漂移区浓度、最优击穿电压等参数随 SOI硅膜厚度的变化曲线,这些结果对实际器件的设计以及工艺生产具有参考意义.

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来源
《半导体学报》 |2005年第3期|536-540|共5页
作者
孙智林; 孙伟锋; 吴建辉;
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作者单位

东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电子电路;
关键词
LDMOS; RESURF; SOI;

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