掺杂浓度

摘要： 用溶胶凝胶法制备了Eu^(3+)单掺LiCaPO_(4)荧光粉,探究了Eu^(3+)的掺杂浓度、退火温度对荧光粉发光性能的影响。实验结果表明,当反应温度为900°C、退火时间为2 h、Eu^(3+)掺杂浓度为5mol%时,荧光粉发光强度最强。XRD结果表明,样品为六方晶系Ca_(3)(PO_(4))_(2)与LiCaPO_(4)的混相。利用CIE进行计算,结果表明,Eu^(3+)位于橙红光区域。

摘要： 制备P-N结发射极的常规扩散工艺主要包括预淀积和高温推阱两个步骤。本文采用在高温推阱之后施加一步保温过程的工艺方案,在p型多晶硅片上制备了低表面浓度磷掺杂的高方阻发射极,研究了不同保温温度对P-N结发射极的方阻和磷原子掺杂分布的影响。结果表明,当完成高温推阱后,在650~750°C温度范围内施加保温工艺所得P-N结的方阻值反向升高,同时二次离子质谱(SIMS)测试结果表明,硅片表层区域的磷原子掺杂浓度相应降低。与常规扩散工艺相比,采用在700°C下保温15 min时所得P-N结的方阻升高约3.2Ω/,所得相应太阳能电池光电转换效率E;达到18.69%,比产线工艺提高约0.23%。

摘要： 硫化亚锗(GeSe)具有合适的禁带宽度、高的吸收系数和高的载流子迁移率等优异的光电特性,且组分简单、低毒和储量丰富,特别适合作为光伏吸收材料。本文基于新型太阳电池吸收层材料GeSe构筑了结构为金属栅线/AZO/i-ZnO/CdS/GeSe/Mo/玻璃的薄膜太阳电池,分别模拟分析了缓冲层和吸收层的厚度、掺杂浓度,以及吸收层体缺陷密度对器件性能的影响。经过优化CdS缓冲层厚度和掺杂浓度以及GeSe吸收层厚度和掺杂浓度,器件获得高达27.59%的转换效率。这些结果表明GeSe基薄膜太阳电池有成为高效光伏器件的潜力。

摘要： 采用溶胶-凝胶法制备了Li Ba PO_(4)∶Eu^(3+)荧光粉,通过热重-差热分析(TG-DTA)、傅里叶变换红外(IR)光谱、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、荧光光谱对荧光粉的结构、发光性质进行表征。TG-DTA结果表明在700°C之后可形成Li Ba PO_(4)相。IR谱图证实了PO_(4)^(3-)离子的存在。XRD结果表明:温度变化会引起衍射峰不同程度的劈裂;Eu^(3+)掺杂浓度会对样品晶相有影响,掺杂浓度较小时样品出现杂相,随着掺杂浓度增加,样品为纯相六方晶系Li Ba PO_(4)。TEM结果表明随着浓度的增加,材料颗粒会发生一定程度的团聚。荧光结果表明:由于活化剂在不同温度下的晶体结构和配位环境的差异,制备的Li Ba PO_(4)∶Eu^(3+)在不同的退火温度下最佳激发波长不同,其主导的能级跃迁也有所差异,且Eu^(3+)引起的浓度猝灭情况也随之而变。CIE计算结果表明,随着退火温度升高,样品色纯度逐渐变好。Li Ba PO_(4)∶Eu^(3+)可被394 nm长波紫外光有效激发,说明其在白光发光二极管领域有潜在的应用价值。

摘要： 聚乙烯电缆在长期运行过程中,难免会出现裂缝缺陷,产生局部放电等故障,威胁电网的正常运行,掺杂微胶囊的聚乙烯复合材料可以实现裂缝的自修复。为了研究修复前微胶囊对聚乙烯材料绝缘性能的影响,本研究制备纯聚乙烯样品和掺杂不同浓度(0、0.5%、1%、5%、10%)微胶囊的聚乙烯复合样品,在满足基本性能的基础上,测定其体积电阻率和交流电气强度。结果表明:掺杂少量微胶囊(≤1%)的复合样品,其体积电阻率较纯聚乙烯样品明显增大;但当浓度较大(>1%)时,体积电阻率减小。另外,和纯聚乙烯样品相比,复合材料的交流电气强度均下降,但当浓度≤1%时,下降幅度较小,可以满足电缆的正常运行要求。这主要与材料的结晶度、掺杂微胶囊后产生的界面效应、微胶囊本身特性有关。总体来说,当掺杂微胶囊的浓度≤1%时,聚乙烯复合材料的绝缘性能可以满足电缆正常运行的要求。

摘要： 本文通过k?p方法研究了传统InAs/GaSb超晶格和M结构超晶格的能带结构.首先,计算了不同周期厚度的InAs/GaSb超晶格的能带结构,得到用于长波超晶格探测器吸收层的周期结构.然后,计算了用于超晶格长波探测器结构的M结构超晶格的能带结构,并给出长波InAs/GaSb超晶格与M结构超晶格之间的带阶.最后,基于能带结构,计算出长波超晶格与M结构超晶格的态密度,进而得出的载流子浓度(掺杂浓度)与费米能级的关系.这些材料参数可以为超晶格探测器结构设计提供基础.

摘要： 研究了桶式N型外延中发现的波浪形貌纵向电阻率分布现象,分析和验证了可能的影响因素(温度、生长速率、转速、挂件、掺杂浓度),得到如下结论,波浪形貌的纵向电阻率分布是在高掺杂浓度时因桶式基座面气流干扰产生的现象,且该现象通过基座面尺寸的调整可以消除.

摘要： 光子增强热电子发射(PETE)全固态太阳能电池是PETE研究的一个重要方向.本文选择P型重掺杂的窄带隙Inx Ga1-x N材料作为吸收层,N型掺杂的宽带隙的Inx Ga1-x N材料作为势垒层组成全固态太阳能电池,运用AMPS-1D软件研究In组分和势垒层掺杂浓度对InGaN全固态太阳能电池性能的影响,结果得到了InGaN重掺杂浓度的临界值为3.94×1019/cm3,发现全固态太阳能电池的光电转换效率会随着势垒层In组分的变化而变化,并由此得出最优的组合为:吸收层In组分为0.75,势垒层In组分为0.58,光电转换效率为31.333％.进一步研究该组合发现光电转换效率会随着势垒层掺杂浓度的升高而降低,最优的势垒层掺杂浓度不易超过2×1019/cm3,调节势垒层In组分可以起到调节势垒高度的作用,本文的结果将为InGaN全固态太阳能电池的制备提供理论支持.

摘要： 利用Silvaco软件对N型叉指背接触异质结(HIBC)太阳电池的特性参数进行了模拟和仿真,主要分析了少子寿命、衬底厚度和掺杂浓度对HIBC太阳电池短路电流密度(Jsc)、开路电压(Voc)、填充因子(FF)和转换效率(Ef)的影响趋势.结果表明:少子寿命越高,HIBC太阳电池Ef越高.当少子寿命≥1.5 ms时,HIBC太阳电池的Ef可达到24％以上;当少子寿命一定,衬底掺杂浓度为3×1016cm-3时,Ef达到最大;当掺杂浓度一定且少子寿命大于1 ms时,Ef对衬底厚度的依赖性较弱,在衬底厚度为120～160 mm时,Ef达到最大.

摘要： 当高电子迁移率晶体管HEMT(high electron mobility transistor)特征尺度与声子的平均自由程相当时,传统的宏观传热理论难以精确描述其内部传热的过程,本文基于微/纳尺度,建立了描述HEMT内部传热特征的格子Boltzmann模型,计算模拟其内部电子、声子碰撞、迁移过程,分析不同掺杂浓度对HEMT温度分布的影响.

摘要： 当高电子迁移率晶体管HEMT（high electron mobility transistor）特征尺度与声子的平均自由程相当时，传统的宏观传热理论难以精确描述其内部传热的过程，本文基于微/纳尺度，建立了描述HEMT内部传热特征的格子Boltzmann模型，计算模拟其内部电子、声子碰撞、迁移过程，分析不同掺杂浓度对HEMT温度分布的影响。

摘要： 掺铋光纤是近红外激光器和光纤放大器中的一种新的有前景的活性介质，在1150-1800nm的光谱区域有极大的应用价值。在铋掺杂的锗硅酸盐光纤中，铋离子的存在形式为Bi+和氧空位。对掺铋可调谐连续光纤激光器进行了大量研究，研究发现:在掺铋硅锗酸盐光纤激光器中，在GeOZ浓度较低的情况下，获得的光谱范围在1366-1507nm;在GeOz浓度较高的情况下，获得的光谱范围在1655-1775nm。研究获得了铋铒共掺的锗硅酸盐光纤放大器，光谱范围在1515-1575nm。但是，掺铋材料中还存在很多问题亟待解决。例如，如何在超低铋掺杂浓度下实现有效激光输出，秘离子近红外荧光中心的起源是什么，怎样去克服基质材料中高掺铋引起的离子团簇，等等。这就需要更多的基础研究来解决，以提高掺铋激光器和光纤放大器的效率，最终实现应用。

摘要： 柔性场发射(FE)阴极材料因其独特的可变形和弯曲特性,在电子织物、分布式传感器、纸上显示器以及微型X射线管等领域,具有潜在的发展前景.本文围绕新颖SiC柔性场发射阴极材料的研发,基于局域场增强效应和调控费米能级附近电子态密度等原理,采用有机前驱体热解工艺,通过控制降温速率和热解气氛两个关键工艺参数,在碳纤维布衬底上实现了SiC单晶低维纳米材料结构和掺杂浓度的精细控制,达到对其场发射性能的协同强化.其开启电场为0.98～1.90V/μm,在不同温度和弯曲状态下的电子发射波动性为7.7％～14.1％,实现了具有良好柔性、低开启电场和高电子发射稳定性的SiC场发射阴极材料的研发.

摘要： 在n型衬底上制作了2′2cm2的双面太阳电池片,并对电池的正反面进行I-V、量子效率、掺杂形貌的测试.将结果导入到PC1D中,通过内量子效率的拟合建立了n型背结前接触太阳电池的模型.通过调整模型中串并联电阻、衬底寿命、表面复合速率、前表面场等参数.发现串联电阻与前表面场掺杂浓度是n型背结太阳电池设计的关键.将这两个参数进行优化,电池效率的增幅为19.7％与33.9％.最终在将n型背结太阳电池效率优化到20.55％.

摘要： 该文运用第一性原理研究了不同浓度Fe原子掺杂TiO2的能带结构、态密度和光学吸收谱.结果表明,Fe原子掺杂浓度的增加导致杂质能级增多，费米能级附近出现态密度峰且峰值随着Fe浓度的增大而增大,从而提高电子从杂质能级跃迁到导带的概率'提高了对可见光的吸收率.进一步分析光谱图发现存在一个最佳浓度对应着较高的可见光响应值.

摘要： 本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了多种p 型窗口层(包括p-a-SiC:H, p-μc-SiC:H, p-μc-Si:H)对n-i-p 型非晶硅太阳电池性能的影响.通过对比不同p 型窗口层的光电、结构特性,发现传统p-i-n 型非晶硅电池所常用的p-a-SiC:H 材料暗电导率较小,而微晶硅电池所常用的p-μc-Si:H 带隙较窄,限制了电池性能的进一步提高.本文在低温条件下,通过控制氢稀释率、辉光功率以及掺杂浓度等条件,获得了电导率达到~10-3S/cm,E04带隙达到2.2eV的p-μc-SiC:H 薄膜,具有带隙宽、吸收系数低、电导率高的特点.将优化的p-μc-SiC:H 薄膜作为p 型窗口层用于结构为substrate/TCO-a-Si:H/i-a-Si:H/buffer/p-μc-SiC:H/ITO/Al 栅的n-i-p 型非晶硅电池,通过i/p 界面处理技术及缓冲层工艺的优化,使非晶硅薄膜电池的性能,尤其是短波响应得到明显改善.最终获得了效率达到7.3%,400nm 处短波响应超过60%,短路电流达到13.6mA/cm2的n-i-p 型非晶硅太阳电池.

摘要： 对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化，发现器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感。采用重掺杂基区，适当提高Ge组分并形成合适的浓度分布，可以有效改进SiGe的直流特性，同时增加器件的特征频率，使得SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域具有更重要的应用前景.

摘要： 用改进的溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了铈(Ce)钇(Y)共掺Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST)薄膜,研究了薄膜的结构和介电性能.扫描电镜(SEM)显示,共掺使薄膜致密、缩孔减少、晶粒大小均匀,随着共掺浓度的增加薄膜表面更平整光滑.原子力显微镜(AFM)表明,共掺薄膜表面致密、晶粒呈球状生长、晶界更明显,随共掺浓度的增加晶粒变小、表面粗糙度减小.V-C曲线表明,相对于铈或钇掺杂,共掺使薄膜的综合介电性能提高,2％Ce和2％Y共掺BST薄膜显示最佳的综合介电性能:零偏压下的电容为7.6× 10-11 F、介电损耗为0.0126,40 V偏压下调谐率为41％,优质因子为32.5,可满足微波调谐器件的需要.

摘要： 用改进的溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了铈(Ce)钇(Y)共掺Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST)薄膜,研究了薄膜的结构和介电性能.扫描电镜(SEM)显示,共掺使薄膜致密、缩孔减少、晶粒大小均匀,随着共掺浓度的增加薄膜表面更平整光滑.原子力显微镜(AFM)表明,共掺薄膜表面致密、晶粒呈球状生长、晶界更明显,随共掺浓度的增加晶粒变小、表面粗糙度减小.V-C曲线表明,相对于铈或钇掺杂,共掺使薄膜的综合介电性能提高,2％Ce和2％Y共掺BST薄膜显示最佳的综合介电性能:零偏压下的电容为7.6× 10-11 F、介电损耗为0.0126,40 V偏压下调谐率为41％,优质因子为32.5,可满足微波调谐器件的需要.

摘要： 本发明公开了一种温度诱导空穴掺杂剂在低浓度下深度掺杂的方法，钙钛矿太阳能电池结构中空穴传输层制备过程为：将空穴传输层材料和TBAPF6共同溶于二氯甲烷得到空穴传输层材料溶液，空穴传输层材料溶液TBAPF6的质量浓度为1‑4 wt%，并用对应的旋涂参数在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层；对所得的n‑i‑p型钙钛矿太阳能电池进行低温加热处理，然后自然冷却到室温。本发明采用TBAPF6作为空穴掺杂剂对空穴传输层材料进行掺杂，并对所制备的钙钛矿太阳能电池进行低温加热处理，可以有效提高基于低浓度TBAPF6掺杂的空穴传输层材料所制备太阳能电池的光伏性能和稳定性。

摘要： 描述了用于光学地确定基本完全激活的掺杂分布图的方法（200）和系统。用一组物理参数来表征该基本完全激活的掺杂分布图。该方法（200）包括获得包含完全激活的掺杂分布图的样本和参照物、以及对于包含完全激活的掺杂分布图的该样本和对于该参照物，获得（210,230）光学调制的反射系数（PMOR）偏置曲线测量数据和DC反射系数测量数据。该方法还包括基于光学调制反射系数偏置曲线测量和DC反射系数测量二者，确定（220、240）掺杂分布图的一组物理参数的值。

摘要： 本发明提出了一种外延层掺杂杂质浓度的监控方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成外延结构，所述外延结构至少包括掺杂外延层；在所述外延结构上形成保护层；提供不同掺杂杂质浓度的标准外延层的折射率标准曲线和吸光率标准曲线，所述标准外延层的厚度与所述掺杂外延层的厚度相同；获得所述掺杂外延层的折射率曲线和吸光率曲线；将所述折射率曲线和吸光率曲线分别与所述折射率标准曲线和吸光率标准曲线比对，与所述折射率曲线和吸光率曲线匹配的折射率标准曲线和吸光率标准曲线对应的掺杂杂质浓度作为所述掺杂外延层的掺杂杂质的浓度。本发明提高了外延层沉积工艺的稳定性。

摘要： 本发明公开了一种温度诱导空穴掺杂剂在低浓度下深度掺杂的方法，钙钛矿太阳能电池结构中空穴传输层制备过程为：将空穴传输层材料和TBAPF6共同溶于二氯甲烷得到空穴传输层材料溶液，空穴传输层材料溶液TBAPF6的质量浓度为1‑4 wt%，并用对应的旋涂参数在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层；对所得的n‑i‑p型钙钛矿太阳能电池进行低温加热处理，然后自然冷却到室温。本发明采用TBAPF6作为空穴掺杂剂对空穴传输层材料进行掺杂，并对所制备的钙钛矿太阳能电池进行低温加热处理，可以有效提高基于低浓度TBAPF6掺杂的空穴传输层材料所制备太阳能电池的光伏性能和稳定性。

摘要： 本发明公开了一种稳定控制离子迁移谱化学掺杂剂(dopant)浓度的方法。本方法以光电离离子迁移谱技术为基本检测技术，正离子高压模式，通过优选掺杂剂种类，利用混合掺杂剂的组合添加方式，再选择掺杂剂控制方式以有效控制掺杂剂释放浓度；可以实现dopant低浓度条件下信号显著增强，有效的延长dopant使用时间，同时利用试剂浓度变化带来的峰型变化判断试剂需要更换节点；本方法可实现dopant低浓度条件下高信号强度，有利于提高目标样品的检测灵敏度。

摘要： 本发明属于掺杂CsPbCl3纳米晶材料制备技术领域，具体涉及一种提高锰掺杂CsPbCl3纳米晶的锰掺杂浓度及发光效率的方法，该方法包括:制备铯前驱体溶液；将十八烯、油酸、油胺、三辛基膦、氯化铅、氯化锰与氯化镍混合；形成Ni、Mn双掺杂CsPbCl3纳米晶；获得Ni、Mn双掺杂CsPbCl3纳米晶溶液。该方法通过加入NiCl2改善Mn掺杂CsPbCl3纳米晶的结晶性及表面缺陷态，提高锰掺杂CsPbCl3纳米晶中Mn掺杂浓度及锰掺杂CsPbCl3纳米晶的发光效率。

摘要： 一种精确控制半导体器件掺杂区掺杂浓度的方法，通过对硅片进行氧化，涂覆过程中在硼乳胶源中加入光刻胶，在硼乳胶源和光刻胶混合后并将二者放入搅拌皿中进行充分的搅拌，从而得到乳胶源涂覆液，其中光刻胶在高温碳化从而随扩散过程中的携带气体去除，得到需要的硼区杂质浓度分布。本发明操作简便，设备简单，适于大批量生成，该方法扩散参数可以随意控制调整，掺杂浓度可调，通过在硅片上扩散氧化生成二氧化硅氧化层，控制氧化的厚度精度，达到精确控制扩散杂质的浓度，简化工艺流程，降低生产成本。产品的成品率可提高20%以上，特别适用于中低档半导体厂家批量生产，有显著的经济效益。

摘要： 本发明公开了改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法，包括以下步骤：(1)在低掺杂浓度材料表面上外延生长镓金属，镓金属覆盖在低掺杂浓度材料表面上呈圆形薄膜层；(2)将表面生长镓金属的低掺杂浓度材料在氮气气氛下进行退火，使镓金属与低掺杂浓度材料形成欧姆接触。表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，所述低掺杂浓度材料的表面上覆盖呈直径为0.6‑1.5mm的圆形Ga金属薄膜层，所述低掺杂浓度材料上有6‑15μm厚的Ga金属。所述低掺杂浓度材料为III‑V族化合物半导体材料。

摘要： 本发明属于半导体材料及工艺测试领域，公开了一种高掺杂半导体掺杂浓度的测算方法。该方法的实施步骤至少包括：S1.利用回旋共振实验测算等效态密度N

摘要： 本发明涉及一种制备高掺杂浓度（20mol%）Al掺杂ZnO纳米粉体的方法。该方法采用Zn(NO