退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
赵慧; 耿莉;
西安交通大学电子与信息工程学院,西安710049;
集成电路设计; SRAM; 超动态电压调整; 亚阈值设计; 静态噪声容限; 低功耗;
机译:基于动态背栅电压调整的稳健FinFET SRAM设计
机译:在动态稳定性约束下,通过尺寸调整和电压优化实现的鲁棒SRAM设计
机译:3.8 GHz 153 Mb SRAM设计具有动态稳定性增强和减少泄漏的45 nm High-k Metal Gate CMOS技术
机译:超越N7的6T SRAM的专用技术阈值电压调整
机译:通过电荷回收进行隐式DC-DC转换,以实现动态电压调整和高压功率输出。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:32NM设计中传统SRAM设计的DTMOS单位子阈值SRAM的设计与分析
机译:基于商用sRams中mOsFET阵列的阈值偏移的剂量测量
机译:沉降值候选计算装置,配电系统电压调整装置,电压调整系统,电压调整方法以及配电设备设计支持系统
机译:配电系统的电压调整单元,电压调整系统,电压调整方法和功率分配安装设计支持系统
机译:具有Nfets和Pfets的超致密且稳定的4T SRAM单元设计
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。