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1.
Characterization of atomic layer deposited low-k spacer for FDSOI high-k metal gate transistor
机译:
FDSOI高k金属栅晶体管的原子层沉积低k隔离层的表征
作者:
D.H. Triyoso
;
G.R. Mulfinger
;
K. Hempel
;
H. Tao
;
F. Koehler
;
L. Kang
;
A. Kumar
;
T. McArdle
;
J. Holt
;
A.L. Child
;
S. Straub
;
F. Ludwig
;
Z. Chen
;
J. Kluth
;
R. Carter
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Transistors;
Silicon compounds;
Logic gates;
Capacitance;
Silicon-on-insulator;
Silicon;
Thermal stability;
2.
Electrons, phonons, and unconventional applications of 2D materials
机译:
电子,声子和2D材料的非常规应用
作者:
Eric Pop
;
Eilam Yalon
;
Miguel Munoz-Rojo
;
Michal Mleczko
;
Chris English
;
Ning Wang
;
Kirby Smithe
;
Saurabh Suryavanshi
;
Isha Datye
;
Connor McClellan
;
Alex Gabourie
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Graphene;
Molybdenum;
Sulfur;
Transistors;
Two dimensional displays;
Temperature measurement;
Thermal conductivity;
3.
III–V-based low power CMOS devices on Si platform
机译:
Si平台上基于III–V的低功耗CMOS器件
作者:
S. Takagi
;
D. H. Ahn
;
T. Gotow
;
M. Noguchi
;
K. Nishi
;
S.-H. Kim
;
M. Yokoyama
;
C.-Y. Chang
;
S.-H. Yoon
;
C. Yokoyama
;
M. Takenaka
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Silicon;
Junctions;
MOSFET circuits;
MOSFET;
Indium gallium arsenide;
Logic gates;
4.
Innovative and 3D stacking Micro Electro Mechanical Systems (I-MEMS) for power saving
机译:
创新的3D堆叠微机电系统(I-MEMS)可节省功耗
作者:
Kiyoshi Mori
;
Giang Dao
;
Ziep Tran
;
Michael Ramon
;
Jason Woo
;
Peng Lu
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Micromechanical devices;
Reliability;
Power demand;
Capacitors;
MOSFET;
5.
SRAM designs for 5nm node and beyond: Opportunities and challenges
机译:
适用于5nm及以上节点的SRAM设计:机遇与挑战
作者:
T. Huynh-Bao
;
S. Sakhare
;
J. Ryckaert
;
A. Spessot
;
D. Verkest
;
A. Mocuta
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Random access memory;
Logic gates;
Gallium arsenide;
FinFETs;
Delays;
Capacitance;
Metals;
6.
SOI CMOS technology for quantum information processing
机译:
SOI CMOS技术用于量子信息处理
作者:
L. Hutin
;
B. Bertrand
;
R. Maurand
;
M. Urdampilleta
;
B. Jadot
;
H. Bohuslavskyi
;
L. Bourdet
;
Y.-M. Niquet
;
X. Jehl
;
S. Barraud
;
C. Bäuerle
;
T. Meunier
;
M. Sanquer
;
S. De Franceschi
;
M. Vinet
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Couplings;
Silicon;
Quantum computing;
Split gate flash memory cells;
Electric potential;
Tunneling;
7.
NRAM status and prospects
机译:
NRAM的现状和前景
作者:
D.C. Gilmer
;
T. Rueckes
;
L. Cleveland
;
D. Viviani
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Random access memory;
Carbon nanotubes;
Resistance;
Switches;
Electrodes;
Performance evaluation;
Memory management;
8.
Design considerations for optimization of pull-in stability margin in electrostatic N/MEM relays
机译:
优化静电N / MEM继电器的插入稳定裕度的设计注意事项
作者:
Giulia Usai
;
Louis Hutin
;
Jose Luis Muñoz-Gamarra
;
Thomas Ernst
;
Maud Vinet
;
Philip X.-L. Feng
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Electrodes;
Relays;
Electrostatics;
Structural beams;
Force;
Analytical models;
9.
Circuit-level simulation methodology for Random Telegraph Noise by using Verilog-AMS
机译:
使用Verilog-AMS的随机电报噪声的电路级仿真方法
作者:
Takuya Komawaki
;
Michitarou Yabuuchi
;
Ryo Kishida
;
Jun Furuta
;
Takashi Matsumoto
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
Threshold voltage;
MOSFET;
MOSFET circuits;
Transient analysis;
10.
SOTB (Silicon on Thin Buried Oxide): More than Moore technology for IoT and Automotive
机译:
SOTB(薄埋氧化硅):物联网和汽车领域的摩尔技术不止
作者:
Takumi Hasegawa
;
Yoshiki Yamamoto
;
Hideki Makiyama
;
Hiroki Shinkawata
;
Shiro Kamohara
;
Yasuo Yamaguchi
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Low-power electronics;
Random access memory;
Leakage currents;
Automotive engineering;
Transistors;
Logic gates;
Batteries;
11.
Statistical circuit performance dependency analysis via sparse relevance kernel machine
机译:
通过稀疏相关内核机进行统计电路性能依赖性分析
作者:
Honghuang Lin
;
Asad M. Khan
;
Peng Li
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Computational modeling;
Bayes methods;
Training;
Kernel;
Data models;
Support vector machines;
Random variables;
12.
Advances of the development of a ferroelectric field-effect transistor on Ge(001)
机译:
Ge(001)上的铁电场效应晶体管的研究进展
作者:
Patrick Ponath
;
Agham B. Posadas
;
Yuan Ren
;
Xiaoyu Wu
;
Keji Lai
;
Alex Demkov
;
Michael Schmidt
;
Ray Duffy
;
Paul Hurley
;
Jian Wang
;
Chadwin Young
;
Rama K. Vasudevan
;
M. Baris Okatan
;
S. Jesse
;
Sergei V. Kalinin
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Surface cleaning;
Surface impedance;
Transistors;
Substrates;
Surface topography;
Microscopy;
Surface reconstruction;
13.
Low power Adiabatic Logic based on 2PC2AL
机译:
基于2PC2AL的低功耗绝热逻辑
作者:
Mei Han
;
Yasuhiro Takahashi
;
Toshikazu Sekine
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Adiabatic;
Inverters;
Transistors;
Threshold voltage;
Simulation;
Power demand;
14.
FD-SOI material enabling CMOS technology disruption from 65nm to 12nm and beyond
机译:
FD-SOI材料可实现CMOS技术从65nm到12nm甚至更大的突破
作者:
W. Schwarzenbach
;
M. Sellier
;
B.-Y. Nguyen
;
C. Girard
;
C. Maleville
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Substrates;
Production;
Silicon;
Performance evaluation;
Monitoring;
Metrology;
15.
Process variation aware STT-RAM simulation tool: NVSim-VX
机译:
可识别过程变化的STT-RAM仿真工具:NVSim-VX
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Switches;
Monte Carlo methods;
Transistors;
Switching circuits;
Random access memory;
Temperature distribution;
Resistance;
16.
A resistance model of integrated octagonal-shaped Hall sensor using JFET compact model
机译:
使用JFET紧凑模型的集成八边形霍尔传感器的电阻模型
作者:
Milos Skalsky
;
Stanislav Banas
;
Vaclav Panko
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
JFETs;
Semiconductor device modeling;
Integrated circuit modeling;
Junctions;
Mathematical model;
Capacitance;
Logic gates;
17.
A 910nW delta sigma modulator using 65nm SOTB technology for mixed signal IC of IoT applications
机译:
采用65nm SOTB技术的910nW三角积分调制器,用于物联网应用的混合信号IC
作者:
Koichiro Ishibashi
;
Junya Kikuchi
;
Nobuyuki Sugii
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Modulation;
Threshold voltage;
Capacitors;
Integrated circuits;
Inverters;
Mobile communication;
Layout;
18.
Dadda Multiplier designs using memristors
机译:
使用忆阻器的Dadda乘法器设计
作者:
Lauren Guckert
;
Earl E. Swartzlander
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Memristors;
Adders;
Delays;
Complexity theory;
Optimization;
Logic gates;
Standards;
19.
Fluids energy harvesting system with low cut-in velocity piezoelectric MEMS
机译:
具有低切入速度压电MEMS的流体能量收集系统
作者:
G.E. Biccario
;
M. De Vittorio
;
S. DAmico
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Transducers;
Detectors;
MOSFET;
Active circuits;
Capacitance;
Capacitors;
Inductors;
20.
Integrated electrical sensing for high-throughput bioanalytics
机译:
集成的电传感技术,用于高通量生物分析
作者:
Carlotta Guiducci
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Biosensors;
Three-dimensional displays;
Microelectrodes;
Silicon;
Sensitivity;
21.
Toward Gated-Diode-BIMOS for thin silicon ESD protection in advanced FD-SOI CMOS technologies
机译:
面向门控二极管BIMOS的先进FD-SOI CMOS技术中的薄硅ESD保护
作者:
Louise De Conti
;
Thomas Bedecarrats
;
Maud Vinet
;
Sorin Cristoloveanu
;
Philippe Galy
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Resistors;
Electrostatic discharges;
BiCMOS integrated circuits;
Doping;
Anodes;
Junctions;
22.
Wideband inductorless CMOS RF front-end for LTE receivers
机译:
LTE接收器的宽带无电感CMOS RF前端
作者:
Eman Badr
;
Heba Shawkey
;
Yehea Ismail
;
Abdelhalim Zekry
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Receivers;
Wideband;
Radio frequency;
Long Term Evolution;
Mixers;
Gain;
23.
Microstructure and ferroelectricity of barium titanate thin films on Si for integrated photonics
机译:
用于集成光子学的Si上钛酸钡薄膜的微结构和铁电性
作者:
Kristy J. Kormondy
;
Alexander A. Demkov
;
Youri Popoff
;
Marilyne Sousa
;
Felix Eltes
;
Daniele Caimi
;
Chiara Marchiori
;
Jean Fompeyrine
;
Stefan Abel
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Electrooptic effects;
Silicon;
Electrooptical waveguides;
Photonics;
Molecular beam epitaxial growth;
Radio frequency;
Laser beams;
24.
Interfacial transition layer in thermally grown SiO2 film on 4H-SiC
机译:
4H-SiC上热生长SiO2膜中的界面过渡层
作者:
Ryu Hasunuma
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Oxidation;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Substrates;
Silicon;
Silicon carbide;
Annealing;
25.
Yield and energy tradeoffs of an NVLatch design using radial sampling
机译:
使用径向采样的NVLatch设计的产量和能量折衷
作者:
Adam Issa
;
Rouwaida Kanj
;
Ali Chehab
;
Rajiv Joshi
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Nonvolatile memory;
Delays;
Latches;
Magnetic tunneling;
Program processors;
Torque;
Transistors;
26.
A low power fast wakeup flash memory system for embedded SOCs
机译:
用于嵌入式SOC的低功耗快速唤醒闪存系统
作者:
Karthik Ramanan
;
Jacob Williams
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Voltage control;
Charge pumps;
Flash memories;
Regulators;
Capacitance;
Power demand;
Nonvolatile memory;
27.
Power consumption estimation using VNOC2.0 simulator for a fuzzy-logic based low power Network-on-Chip
机译:
使用VNOC2.0模拟器进行功耗估算,基于模糊逻辑的低功耗片上网络
作者:
Hai-Phong Phan
;
Xuan-Tu Tran
;
Tomohiro Yoneda
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Power demand;
Voltage control;
Load modeling;
Fuzzy logic;
Estimation;
Data models;
Frequency control;
28.
Dedicated technology threshold voltage tuning for 6T SRAM beyond N7
机译:
超越N7的6T SRAM的专用技术阈值电压调整
作者:
Mohit Kumar Gupta
;
Pieter Weckx
;
Stefan Cosemans
;
Pieter Schuddinck
;
Rogier Baert
;
Doyoung Jang
;
Yasser Sherazi
;
Praveen Raghavan
;
Alessio Spessot
;
Anda Mocuta
;
Wim Dehaene
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Random access memory;
Stability criteria;
Threshold voltage;
Capacitance;
Tuning;
Logic gates;
29.
Layout engineering to suppress hysteresis of negative capacitance FinFET
机译:
布局工程以抑制负电容FinFET的滞后
作者:
Eunah Ko
;
Jaesung Jo
;
Changhwan Shin
;
Bich-Yen Nguyen
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
FinFETs;
Capacitance;
Hysteresis;
Capacitors;
Logic gates;
Switches;
30.
FDSOI vs FinFET: differentiating device features for ultra low power IoT applications
机译:
FDSOI与FinFET:区分超低功耗和物联网应用的设备功能
作者:
O. Weber
会议名称:
《2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology》
|
2017年
关键词:
Silicon-on-insulator;
FinFETs;
Performance evaluation;
Logic gates;
Radio frequency;
Mobile communication;
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