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机译:32NM设计中传统SRAM设计的DTMOS单位子阈值SRAM的设计与分析
T. Vasudeva Reddy;
机译:32nm下低泄漏SRAM设计技术的比较分析
机译:利用位线泄漏预测方案和非微调读出放大器设计65 nm亚阈值SRAM
机译:利用列线辅助和DTMOS技术设计10T SRAM单元
机译:新型亚阈值DTMOS SRAM单元结构的设计与分析
机译:低功耗SRAM的设计和分析。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:用于干涉辅助光刻的32nm 1-d常规间距sram位单元设计
机译:用于SRAM的高效位线驱动的单侧功率崩溃写辅助设计
机译:SRAM的高效位线驱动单侧功耗崩溃辅助写入设计
机译:SRAM设计有助于在双侧壁图像传输过程中进行单翅片切割
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